IT之家12月11日消息安全的炒股配资网，科技媒体ZDNetKorea昨日（12月10日）发布博文，报道称SK海力士正加速布局下一代AI存储技术，该公司已联手英伟达（NVIDIA）共同开发“AI-NAND”，有望突破存储性能瓶颈。
在2025人工智能半导体未来技术会议（AISFC）上，SK海力士副社长KimCheon-sung表示，其公司正与全球AI芯片巨头英伟达展开紧密合作，致力于开发代号为“AI-NP”（性能型AINAND）的次世代存储解决方案。
作为“AINFamily”产品线的一环，该方案旨在通过重构NAND与控制器的架构，打破AI运算与存储之间的数据传输瓶颈，以满足大规模AI推演环境对数据吞吐的极致需求。
IT之家援引博文介绍，SK海力士计划于2026年底发布基于PCIeGen6接口的初期样品，该产品将支持高达2500万IOPS（每秒读写次数）。
考虑到目前数据中心主流的高性能企业级SSD（eSSD）最大IOPS约为300万，新产品的性能将实现约8至10倍的跨越式提升。
图源：hankyung
该公司已着手研发第二代产品，目标是在2027年底将性能进一步推高至1亿IOPS，达到现有产品的30倍以上。
为了应对AI数据中心和端侧AI的多样化需求，SK海力士正在构建包含AI-NP（性能）、AI-NB（带宽）和AI-ND（容量）的完整产品矩阵。
公司目前正与英伟达就AI-NP进行联合概念验证（PoC），重点优化大规模数据吞吐时的能效与速度，通过针对性的优化，将有效缓解存储系统在处理海量AI数据时的延迟问题，确保GPU算力不被存储短板所拖累。
除性能型产品外，SK海力士还在高带宽存储领域取得了进展。KimCheon-sung表示，公司正与闪迪共同推进“AI-NB”的标准化工作。
图源：hankyung
该产品在业内被称为HBF（高带宽闪存），其原理类似HBM（高带宽内存），通过堆叠NAND闪存来大幅扩展数据传输带宽安全的炒股配资网，他预计AI-NB的Alpha版本将于2026年1月底面世，并在2027年推出正式样品以供评估，这将为AI存储架构提供全新的技术路径。
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